二极管相信大家都有见过，它是一种简单的能够实现单向传导电流的器件，它由P型半导体和N型半导体构成一个P-N结界面，从而在两侧构建空间电荷层，形成一个自建电场。
发光二极管早在1962年就已出现，是一种能发光的半导体电子元件，可以把电能转化成光能，被称为第四代光源。现代发光二极管具有节能、环保、安全、寿命长、低功耗、低热、高亮度、防水、微型、防震、易调光、光束集中、维护简便等特点。
二极管基本特性
1、正向性
二极管的特性中最为突出一点就是其正向性，二极管的特性表现在外加正向电压时，正向电压很小，使得二极管不足以克服PN结内电场阻挡作用，正向电流几乎为零，这一区域被称为死区。这样就不能使二极管导通的正向电压被称为死区电压。但当二极管的正向电压大于死区电压后，PN结内电场被会被有效克服，使得二极管正向导通，电流随电压增大而快速上升。在正常情况下使用的二极管电流范围内，导通时电压几乎维持不变，这个电压就是二极管的特性中的正向电压。
2、反向性
反向性是二极管的特性中不得不提的重要特征，二极管的特性表现在外加反向电压在不超过一定范围时，通过电流是少数载流子漂移运动形成的反向电流。由于二极管的反向电流很小，使得二极管处于截止状态。反向电流又被称为反向饱和电流或是漏电流，二极管的特性中反向饱和电流受温度影响较大。一般二极管内部的硅管反向电流比锗管要小很多，小功率二极管硅管反向饱和电流在nA数量级。
3、反向击穿
二极管的特性中反向击穿使其重要的功能之一，反向击穿按二极管的特性中机理不同分为齐纳击穿和雪崩击穿两种。二极管处于高掺杂浓度的情况下时，因势垒区宽度较小，反向电压较大，会破坏势垒区内共价键结构，使得价电子脱离共价键的束缚，产生电子空穴，导致二极管电流急剧增大，这种击穿就是二极管的特性中的齐纳击穿。二极管的特性中另一种击穿为雪崩击穿，是指当反向电压增加到较大数值，使电子漂移速度加快，与共价键中的价电子相碰撞。
二极管正负极如何判断
1、对于普通二极管，可以看管体表面，有白线的一端为负极。
2、对于发光二极管，引脚长的为正极，短的为负极。
3、如果引脚被剪得一样长了，发光二极管管体内部金属极较小的是正极，大的片状的是负极。
4、如果眼睛近视看不清，也可打开万用表，将旋钮拨到通断档，将红黑表笔分别接在两个引脚。若有读数，则红表笔一端为正极；若读数为“1”，则黑表笔一端为正极。
发光二极管型号
发光二极管的型号参数有很多种，每一种型号都有其独特的识别方法。国产发光二极管的型号表示主要有部标型号(FG)、厂标型号(BT)以及2EF型号等。下面对部标型号(FG)的表示方法给以说明：
第一部分用字母FG表示发光二极管。
第二部分用数字表示发光二极管材料：“1”表示磷化嫁(GaP)；“2”表示磷砷化镓(GaAsP)；“3”表示砷铝化镓(GaAlAs)。
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